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晶片检测
发布时间:2022-05-26
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测试周期:7-15个工作日

测试费用:工程师根据客户测试需求以及实验复杂程度制定实验方案进行报价。

测试项目:耐磨测试,表征测试,深度测试,推力测试,封装测试,厚度测试,翘曲度测试,电阻测试,弹性力测试,抗静电测试,曲率测试,化学测试,光学表面粗糙度测试,应力测试,表面划痕测试,热导率测试,耐受测试,尘埃度测试,高低温测试,表面晶向测试等。

晶片检测范围

单晶片,硅晶片,纳米微针晶片,石英晶片,雾化器晶片,碳化硅晶片,led晶片,半导体晶片,砷化镓晶片等。

百检网测试报告有哪些作用?可以帮您解决哪些问题?

1、销售使用。(销售自己的产品,出具第三方测试报告让客户更加信赖自己的产品质量)

2、研发使用。(研发过程中,遇到一些比较棘手的问题,通过测试报告数据来解决问题,从而缩短研发周期,降低研发成本)

3、改善产品质量。(通过对比测试数据,发现自身产品问题所在,提高产品质量,降低生产成本)

4、科研论文数据使用。

5、竞标,投标使用(百检网测试周期比较短,测试费用低,认可度比较高,特别适合投标使用)


晶片检测标准

GB/T 5238-2019锗单晶和锗单晶片

GB/T 13387-2009硅及其它电子材料晶片参考面长度测量方法

GB/T 16595-2019晶片通用网格规范

GB/T 16596-2019确定晶片坐标系规范

GB/T 25188-2010硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量 X射线光电子能谱法

GB/T 26066-2010硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法

GB/T 26070-2010化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法

GB/T 26071-2018太阳能电池用硅单晶片

GB/T 30118-2013声表面波(SAW)器件用单晶晶片规范与测量方法

GB/T 30866-2014碳化硅单晶片直径测试方法

GB/T 30867-2014碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法

GB/T 30868-2014碳化硅单晶片微管密度的测定 化学腐蚀法

GB/T 32278-2015碳化硅单晶片平整度测试方法

GB/T 32988-2016人造石英光学低通滤波器晶片

GB/T 34481-2017低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法


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